BSP92PH6327XTSA1 vs BSS87H6327FTSA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSP92PH6327XTSA1 بواسطة Infineon و BSS87H6327FTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSP92PH6327XTSA1 | BSS87H6327FTSA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS P-Channel Small-Signal Power MOSFET | — |
| نوع الترانزستور | P-Channel Enhancement Mode MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -250 V | 240 V |
| Continuous Drain Current (ID) | -260 mA (Ta) | 260 mA (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | 1.8 W (Ta) | 1 W (Ta) |
| العلبة | PG-SOT223-4 (SOT-223-4) | PG-SOT89-4-2 (SOT-89) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Channel Polarity | P-Channel | — |
| درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C (Tj) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| On-State Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes / Compliant | — |
| مستوى MSL | 1 (unlimited) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| عدد الأطراف | 4 (Gate, Drain, Drain, Source) | 3 (Gate / Drain / Source) |
| FET Type | — | N-Channel enhancement-mode |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 6 ohm max at VGS=10V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | +/-20 V |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +150C (junction) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| حالة RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free / Pb-Free | — | Yes (Pb-free plating) |
| Process Technology | — | Vertical DMOS |