BSP92PH6327XTSA1 vs BSS87H6327FTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSP92PH6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSS87H6327FTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSP92PH6327XTSA1 BSS87H6327FTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS P-Channel Small-Signal Power MOSFET —
Transistor Türü P-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) -250 V 240 V
Continuous Drain Current (ID) -260 mA (Ta) 260 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 1.8 W (Ta) 1 W (Ta)
Paket PG-SOT223-4 (SOT-223-4) PG-SOT89-4-2 (SOT-89)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Channel Polarity P-Channel —
İşletim Sıcaklığı -55C to +150C (Tj) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
MSL Seviyesi 1 (unlimited) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Pin Sayısı 4 (Gate, Drain, Drain, Source) 3 (Gate / Drain / Source)
FET Type — N-Channel enhancement-mode
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 6 ohm max at VGS=10V
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +150C (junction)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
RoHS Durumu — Compliant
Lead-Free / Pb-Free — Yes (Pb-free plating)
Process Technology — Vertical DMOS

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin