BSR316PH6327XTSA1 vs BSR315PH6327XTSA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSR316PH6327XTSA1 بواسطة Infineon و BSR315PH6327XTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSR316PH6327XTSA1 | BSR315PH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSR316PH6327XTSA1 | BSR315PH6327XTSA1 |
| Series | OptiMOS | OptiMOS P-Channel |
| FET Type | P-Channel Enhancement Mode | P-Channel, Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -100 V | -60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | -360 mA | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | [DATA_NEEDED: ID at TC specific value] | — |
| On-State Resistance RDS(on) max | 1800 mOhm at VGS = -10 V | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | -1.7 V typical, -2.5 V max | — |
| Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| Power Dissipation (Tc) | 500 mW | — |
| العلبة | PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-23 equivalent) | PG-SC59-3 / SOT-23-3 |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 C to +150 C (junction) | -55 C to +150 C (TJ) |
| Qualification | Automotive | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| مستوى MSL | 1 | — |
| Polarity | P-Channel | — |
| Continuous Drain Current (ID) | — | -620 mA (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | — | 500 mW (Ta) |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 800 mOhm @ -620 mA, -10 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | ±20 V (max VGS) |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 176 pF @ 25 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 6 nC @ 10 V |
| عدد الأطراف | — | 3 |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR) |
| Automotive Qualified | — | Yes (per Infineon product family marking) |