BSR316PH6327XTSA1 vs BSR315PH6327XTSA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSR316PH6327XTSA1 מאת Infineon ו BSR315PH6327XTSA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 - 100V P-Ch MOSFET 360mA SC-59 | Infineon

BSR316PH6327XTSA1 - 100V P-Ch MOSFET 360mA SC-59 | Infineon

BSR316PH6327XTSA1 ✓ פעיל
Infineon
BSR315PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1 - 60V P-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

BSR315PH6327XTSA1 - 60V P-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

BSR315PH6327XTSA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר BSR316PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSR316PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1
Series OptiMOS OptiMOS P-Channel
FET Type P-Channel Enhancement Mode P-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) -100 V -60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA -360 mA —
Continuous Drain Current (ID) at TC [DATA_NEEDED: ID at TC specific value] —
On-State Resistance RDS(on) max 1800 mOhm at VGS = -10 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) -1.7 V typical, -2.5 V max —
Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg total] —
Power Dissipation (Tc) 500 mW —
מארז PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-23 equivalent) PG-SC59-3 / SOT-23-3
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טווח טמפרטורת פעולה -55 C to +150 C (junction) -55 C to +150 C (TJ)
Qualification Automotive —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
רמת MSL 1 —
Polarity P-Channel —
Continuous Drain Current (ID) — -620 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) — 800 mOhm @ -620 mA, -10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — ±20 V (max VGS)
Input Capacitance (Ciss) — 176 pF @ 25 V
Total Gate Charge (Qg) — 6 nC @ 10 V
מספר פינים — 3
Packaging — Tape & Reel (TR)
Automotive Qualified — Yes (per Infineon product family marking)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר