BSR316PH6327XTSA1 vs BSR315PH6327XTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSR316PH6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSR315PH6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSR316PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSR316PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1
Series OptiMOS OptiMOS P-Channel
FET Type P-Channel Enhancement Mode P-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) -100 V -60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA -360 mA —
Continuous Drain Current (ID) at TC [DATA_NEEDED: ID at TC specific value] —
On-State Resistance RDS(on) max 1800 mOhm at VGS = -10 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) -1.7 V typical, -2.5 V max —
Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg total] —
Power Dissipation (Tc) 500 mW —
Paket PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-23 equivalent) PG-SC59-3 / SOT-23-3
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +150 C (junction) -55 C to +150 C (TJ)
Qualification Automotive —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 —
Polarity P-Channel —
Continuous Drain Current (ID) — -620 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) — 800 mOhm @ -620 mA, -10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — ±20 V (max VGS)
Input Capacitance (Ciss) — 176 pF @ 25 V
Total Gate Charge (Qg) — 6 nC @ 10 V
Pin Sayısı — 3
Packaging — Tape & Reel (TR)
Automotive Qualified — Yes (per Infineon product family marking)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin