BSS214NWH6327XTSA1 vs BSR315PH6327XTSA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSS214NWH6327XTSA1 بواسطة Infineon و BSR315PH6327XTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSS214NWH6327XTSA1 | BSR315PH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSS214NWH6327XTSA1 | BSR315PH6327XTSA1 |
| Series | OptiMOS | OptiMOS P-Channel |
| FET Type | N-Channel | P-Channel, Enhancement Mode |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | — |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | 20 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25C | 1.5 A | — |
| Rds(on) Max @ Vgs=4.5V | 250 mOhm | — |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5 V, 4.5 V | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C | 500 mW | — |
| العلبة | PG-SOT323 (SOT-323-3) | PG-SC59-3 / SOT-23-3 |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C (junction) | — |
| Qualification | AEC-Q101 (Automotive) | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | -60 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | -620 mA (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | — | 500 mW (Ta) |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 800 mOhm @ -620 mA, -10 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | ±20 V (max VGS) |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 176 pF @ 25 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 6 nC @ 10 V |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55 C to +150 C (TJ) |
| عدد الأطراف | — | 3 |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR) |
| Automotive Qualified | — | Yes (per Infineon product family marking) |