BSS214NWH6327XTSA1 vs BSR315PH6327XTSA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của BSS214NWH6327XTSA1 bằng Infineon và BSR315PH6327XTSA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 ✓ Hoạt động
Infineon
BSR315PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1 - 60V P-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

BSR315PH6327XTSA1 - 60V P-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

BSR315PH6327XTSA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số BSS214NWH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSS214NWH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1
Series OptiMOS OptiMOS P-Channel
FET Type N-Channel P-Channel, Enhancement Mode
Technology MOSFET (Metal Oxide) —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 20 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25C 1.5 A —
Rds(on) Max @ Vgs=4.5V 250 mOhm —
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5 V, 4.5 V —
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C 500 mW —
Hộp PG-SOT323 (SOT-323-3) PG-SC59-3 / SOT-23-3
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Nhiệt độ hoạt động -55C to +150C (junction) —
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Drain-Source Voltage (VDS) — -60 V
Continuous Drain Current (ID) — -620 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) — 800 mOhm @ -620 mA, -10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — ±20 V (max VGS)
Input Capacitance (Ciss) — 176 pF @ 25 V
Total Gate Charge (Qg) — 6 nC @ 10 V
Khoảng nhiệt độ hoạt động — -55 C to +150 C (TJ)
Số chân — 3
Packaging — Tape & Reel (TR)
Automotive Qualified — Yes (per Infineon product family marking)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá