BSS214NWH6327XTSA1 vs BSR315PH6327XTSA1 Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci BSS214NWH6327XTSA1 disebabkan oleh Infineon dan BSR315PH6327XTSA1 disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Infineon
BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 ✓ Aktif

Pengandingan Spesifikasi

Parametr BSS214NWH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSS214NWH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1
Series OptiMOS OptiMOS P-Channel
FET Type N-Channel P-Channel, Enhancement Mode
Technology MOSFET (Metal Oxide) —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 20 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25C 1.5 A —
Rds(on) Max @ Vgs=4.5V 250 mOhm —
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5 V, 4.5 V —
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C 500 mW —
Kemasan PG-SOT323 (SOT-323-3) PG-SC59-3 / SOT-23-3
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Suhu Operasi -55C to +150C (junction) —
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Drain-Source Voltage (VDS) — -60 V
Continuous Drain Current (ID) — -620 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) — 800 mOhm @ -620 mA, -10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — ±20 V (max VGS)
Input Capacitance (Ciss) — 176 pF @ 25 V
Total Gate Charge (Qg) — 6 nC @ 10 V
Gambaran Suhu Operasi — -55 C to +150 C (TJ)
Kiraan Pin — 3
Packaging — Tape & Reel (TR)
Automotive Qualified — Yes (per Infineon product family marking)

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga