BSS308PEH6327XTSA1 vs BSL207SPH6327XTSA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSS308PEH6327XTSA1 بواسطة Infineon و BSL207SPH6327XTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
BSL207SPH6327XTSA1 BSL207SPH6327XTSA1 - P-CH 20V 6A OptiMOS MOSFET | Infineon

BSL207SPH6327XTSA1 - P-CH 20V 6A OptiMOS MOSFET | Infineon

BSL207SPH6327XTSA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل BSS308PEH6327XTSA1 BSL207SPH6327XTSA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) —
نوع الترانزستور P-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (ID) -2 A (Ta) —
RDS(on) Max 80 mΩ at VGS = -10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max +/-20 V —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) 2 W (Ta)
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 °C to +150 °C —
العلبة / الحالة PG-SOT23 (SOT-23-3) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
عدد الدبابيس 3 —
Qualification AEC-Q101 Automotive —
حالة RoHS Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel (T/R) —
Standard Reel Quantity 3000 pcs —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
FET Type — P-Channel
Technology — MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (VDS) — -20 V
Continuous Drain Current (ID) at 25C — 6 A (Ta)
RDS(on) Max @ VGS = -4.5 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=-4.5V]
RDS(on) Max @ VGS = -2.5 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=-2.5V]
Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) — 2.5 V, 4.5 V
العلبة — TSOP-6 (PG-TSOP6-6)
درجة حرارة التشغيل — -55C to +150C
Series — OptiMOS™
Automotive Qualification — AEC-Q101
عدد الأطراف — 6

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر