BSS308PEH6327XTSA1 vs BSL207SPH6327XTSA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSS308PEH6327XTSA1 מאת Infineon ו BSL207SPH6327XTSA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
BSL207SPH6327XTSA1 BSL207SPH6327XTSA1 - P-CH 20V 6A OptiMOS MOSFET | Infineon

BSL207SPH6327XTSA1 - P-CH 20V 6A OptiMOS MOSFET | Infineon

BSL207SPH6327XTSA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר BSS308PEH6327XTSA1 BSL207SPH6327XTSA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) —
סוג טרנזיסטור P-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (ID) -2 A (Ta) —
RDS(on) Max 80 mΩ at VGS = -10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max +/-20 V —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) 2 W (Ta)
טווח טמפרטורת פעולה -55 °C to +150 °C —
מארז / Case PG-SOT23 (SOT-23-3) —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
מספר פינים 3 —
Qualification AEC-Q101 Automotive —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel (T/R) —
Standard Reel Quantity 3000 pcs —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
FET Type — P-Channel
Technology — MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (VDS) — -20 V
Continuous Drain Current (ID) at 25C — 6 A (Ta)
RDS(on) Max @ VGS = -4.5 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=-4.5V]
RDS(on) Max @ VGS = -2.5 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=-2.5V]
Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) — 2.5 V, 4.5 V
מארז — TSOP-6 (PG-TSOP6-6)
טמפרטורת פעולה — -55C to +150C
Series — OptiMOS™
Automotive Qualification — AEC-Q101
מספר פינים — 6

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר