BSS308PEH6327XTSA1 vs BSL207SPH6327XTSA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSS308PEH6327XTSA1 توسط Infineon و BSL207SPH6327XTSA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSL207SPH6327XTSA1 BSL207SPH6327XTSA1 - P-CH 20V 6A OptiMOS MOSFET | Infineon

BSL207SPH6327XTSA1 - P-CH 20V 6A OptiMOS MOSFET | Infineon

BSL207SPH6327XTSA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSS308PEH6327XTSA1 BSL207SPH6327XTSA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) —
نوع ترانزیستور P-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (ID) -2 A (Ta) —
RDS(on) Max 80 mΩ at VGS = -10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max +/-20 V —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) 2 W (Ta)
محدوده دمای کاری -55 °C to +150 °C —
بسته‌بندی / کیس PG-SOT23 (SOT-23-3) —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
تعداد پین‌ها 3 —
Qualification AEC-Q101 Automotive —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel (T/R) —
Standard Reel Quantity 3000 pcs —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
FET Type — P-Channel
Technology — MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (VDS) — -20 V
Continuous Drain Current (ID) at 25C — 6 A (Ta)
RDS(on) Max @ VGS = -4.5 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=-4.5V]
RDS(on) Max @ VGS = -2.5 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=-2.5V]
Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) — 2.5 V, 4.5 V
بسته‌بندی — TSOP-6 (PG-TSOP6-6)
دمای کاری — -55C to +150C
Series — OptiMOS™
Automotive Qualification — AEC-Q101
تعداد پایه — 6

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت