BSS308PEH6327XTSA1 vs BSS119NH6327XTSA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSS308PEH6327XTSA1 بواسطة Infineon و BSS119NH6327XTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSS308PEH6327XTSA1 BSS119NH6327XTSA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) —
نوع الترانزستور P-Channel Enhancement Mode MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (ID) -2 A (Ta) —
RDS(on) Max 80 mΩ at VGS = -10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max +/-20 V —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 °C to +150 °C -55°C to +150°C (TJ) [DATA_NEEDED: TA range from datasheet]
العلبة / الحالة PG-SOT23 (SOT-23-3) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
عدد الدبابيس 3 —
Qualification AEC-Q101 Automotive AEC-Q101 (automotive grade)
حالة RoHS Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel (T/R) Tape & Reel (3,000 pcs/reel)
Standard Reel Quantity 3000 pcs —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] 0.8 V to 1.8 V (typical) [DATA_NEEDED: exact min/typ/max]
FET Technology — Enhancement-mode, planar N-channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 190 mA
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 500 mW
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 6 Ω (typical) [DATA_NEEDED: exact VGS condition and max value]
Gate Drive Voltage (VGS) — ±20 V max
العلبة — PG-SOT23 (SOT-23-3)
Lead-Free — Yes
مستوى MSL — 1 [DATA_NEEDED: confirm from datasheet]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر