BSS308PEH6327XTSA1 vs BSS119NH6327XTSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSS308PEH6327XTSA1 بذریعہ Infineon اور BSS119NH6327XTSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSS119NH6327XTSA1 BSS119NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA, SOT-23 | Infineon

BSS119NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA, SOT-23 | Infineon

BSS119NH6327XTSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSS308PEH6327XTSA1 BSS119NH6327XTSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) —
ٹرانزسٹر کی قسم P-Channel Enhancement Mode MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (ID) -2 A (Ta) —
RDS(on) Max 80 mΩ at VGS = -10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max +/-20 V —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +150 °C -55°C to +150°C (TJ) [DATA_NEEDED: TA range from datasheet]
پیکیج / کیس PG-SOT23 (SOT-23-3) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پنز کی تعداد 3 —
Qualification AEC-Q101 Automotive AEC-Q101 (automotive grade)
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel (T/R) Tape & Reel (3,000 pcs/reel)
Standard Reel Quantity 3000 pcs —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] 0.8 V to 1.8 V (typical) [DATA_NEEDED: exact min/typ/max]
FET Technology — Enhancement-mode, planar N-channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 190 mA
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 500 mW
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 6 Ω (typical) [DATA_NEEDED: exact VGS condition and max value]
Gate Drive Voltage (VGS) — ±20 V max
پیکیج — PG-SOT23 (SOT-23-3)
Lead-Free — Yes
MSL لیول — 1 [DATA_NEEDED: confirm from datasheet]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں