BSZ0501NSIATMA1 vs BSZ215CHXTMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSZ0501NSIATMA1 بواسطة Infineon و BSZ215CHXTMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSZ0501NSIATMA1 BSZ215CHXTMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSZ0501NSIATMA1 —
Product Family OptiMOS 5 (25V/30V) —
FET Type N-Channel N-Channel and P-Channel Complementary
Drain-Source Voltage (Vds) 30 V 20 V
Continuous Drain Current (Id) at TA=25C 25 A —
Continuous Drain Current (Id) at TC=25C 40 A —
Power Dissipation (Pd) at TA=25C 2.1 W —
Power Dissipation (Pd) at TC=25C 50 W —
Operating Mode Enhancement Mode —
Configuration Single with built-in diode —
العلبة PG-TSDSON-8-FL (3.3 x 3.3 mm) PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3 x 3.3)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Number of Terminals 8 —
JESD-609 Code e3 (matte tin) —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Rds(on) at Vgs=10V (typ) [DATA_NEEDED: Rds(on) value] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th)] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] —
نطاق درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: Tj max] -55C to +150C
حالة RoHS Compliant Compliant
Series — OptiMOS
Continuous Drain Current - N-channel (Id) — 5.1 A
Continuous Drain Current - P-channel (Id) — 3.2 A
Power Dissipation (Pd) — 2.5 W
On-State Resistance - N-channel max (Rds(on)) — [DATA_NEEDED: N-channel Rds(on)]
On-State Resistance - P-channel max (Rds(on)) — [DATA_NEEDED: P-channel Rds(on)]
Technology — OptiMOS (enhancement mode)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead-Free — Yes (100% lead-free)
Avalanche Rated — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر