BSZ0501NSIATMA1 vs BSZ215CHXTMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSZ0501NSIATMA1 tarafından Infineon ve BSZ215CHXTMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSZ0501NSIATMA1 BSZ215CHXTMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSZ0501NSIATMA1 —
Product Family OptiMOS 5 (25V/30V) —
FET Type N-Channel N-Channel and P-Channel Complementary
Drain-Source Voltage (Vds) 30 V 20 V
Continuous Drain Current (Id) at TA=25C 25 A —
Continuous Drain Current (Id) at TC=25C 40 A —
Power Dissipation (Pd) at TA=25C 2.1 W —
Power Dissipation (Pd) at TC=25C 50 W —
Operating Mode Enhancement Mode —
Configuration Single with built-in diode —
Paket PG-TSDSON-8-FL (3.3 x 3.3 mm) PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3 x 3.3)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Number of Terminals 8 —
JESD-609 Code e3 (matte tin) —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Rds(on) at Vgs=10V (typ) [DATA_NEEDED: Rds(on) value] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th)] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı [DATA_NEEDED: Tj max] -55C to +150C
RoHS Durumu Compliant Compliant
Series — OptiMOS
Continuous Drain Current - N-channel (Id) — 5.1 A
Continuous Drain Current - P-channel (Id) — 3.2 A
Power Dissipation (Pd) — 2.5 W
On-State Resistance - N-channel max (Rds(on)) — [DATA_NEEDED: N-channel Rds(on)]
On-State Resistance - P-channel max (Rds(on)) — [DATA_NEEDED: P-channel Rds(on)]
Technology — OptiMOS (enhancement mode)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead-Free — Yes (100% lead-free)
Avalanche Rated — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin