BSZ0501NSIATMA1 vs BSZ215CHXTMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSZ0501NSIATMA1 بذریعہ Infineon اور BSZ215CHXTMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSZ215CHXTMA1 BSZ215CHXTMA1 - 20V N+P Complementary MOSFET | Infineon

BSZ215CHXTMA1 - 20V N+P Complementary MOSFET | Infineon

BSZ215CHXTMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSZ0501NSIATMA1 BSZ215CHXTMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSZ0501NSIATMA1 —
Product Family OptiMOS 5 (25V/30V) —
FET Type N-Channel N-Channel and P-Channel Complementary
Drain-Source Voltage (Vds) 30 V 20 V
Continuous Drain Current (Id) at TA=25C 25 A —
Continuous Drain Current (Id) at TC=25C 40 A —
Power Dissipation (Pd) at TA=25C 2.1 W —
Power Dissipation (Pd) at TC=25C 50 W —
Operating Mode Enhancement Mode —
Configuration Single with built-in diode —
پیکیج PG-TSDSON-8-FL (3.3 x 3.3 mm) PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3 x 3.3)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Number of Terminals 8 —
JESD-609 Code e3 (matte tin) —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Rds(on) at Vgs=10V (typ) [DATA_NEEDED: Rds(on) value] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th)] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج [DATA_NEEDED: Tj max] -55C to +150C
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Series — OptiMOS
Continuous Drain Current - N-channel (Id) — 5.1 A
Continuous Drain Current - P-channel (Id) — 3.2 A
Power Dissipation (Pd) — 2.5 W
On-State Resistance - N-channel max (Rds(on)) — [DATA_NEEDED: N-channel Rds(on)]
On-State Resistance - P-channel max (Rds(on)) — [DATA_NEEDED: P-channel Rds(on)]
Technology — OptiMOS (enhancement mode)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead-Free — Yes (100% lead-free)
Avalanche Rated — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں