BSZ0501NSIATMA1 vs BSZ215CHXTMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSZ0501NSIATMA1 توسط Infineon و BSZ215CHXTMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSZ215CHXTMA1 BSZ215CHXTMA1 - 20V N+P Complementary MOSFET | Infineon

BSZ215CHXTMA1 - 20V N+P Complementary MOSFET | Infineon

BSZ215CHXTMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSZ0501NSIATMA1 BSZ215CHXTMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSZ0501NSIATMA1 —
Product Family OptiMOS 5 (25V/30V) —
FET Type N-Channel N-Channel and P-Channel Complementary
Drain-Source Voltage (Vds) 30 V 20 V
Continuous Drain Current (Id) at TA=25C 25 A —
Continuous Drain Current (Id) at TC=25C 40 A —
Power Dissipation (Pd) at TA=25C 2.1 W —
Power Dissipation (Pd) at TC=25C 50 W —
Operating Mode Enhancement Mode —
Configuration Single with built-in diode —
بسته‌بندی PG-TSDSON-8-FL (3.3 x 3.3 mm) PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3 x 3.3)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Number of Terminals 8 —
JESD-609 Code e3 (matte tin) —
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Rds(on) at Vgs=10V (typ) [DATA_NEEDED: Rds(on) value] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th)] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] —
محدوده دمای کاری [DATA_NEEDED: Tj max] -55C to +150C
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Series — OptiMOS
Continuous Drain Current - N-channel (Id) — 5.1 A
Continuous Drain Current - P-channel (Id) — 3.2 A
Power Dissipation (Pd) — 2.5 W
On-State Resistance - N-channel max (Rds(on)) — [DATA_NEEDED: N-channel Rds(on)]
On-State Resistance - P-channel max (Rds(on)) — [DATA_NEEDED: P-channel Rds(on)]
Technology — OptiMOS (enhancement mode)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead-Free — Yes (100% lead-free)
Avalanche Rated — Yes

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت