BSZ065N03LSATMA1 vs BSC020N03LSGATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSZ065N03LSATMA1 بواسطة Infineon و BSC020N03LSGATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
BSC020N03LSGATMA1 - 30V N-Channel OptiMOS 3, 100A TDSON-8 | Infineon
BSC020N03LSGATMA1 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | BSZ065N03LSATMA1 | BSC020N03LSGATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 30V | OptiMOS 3 |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 12 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 40 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 26 W | — |
| العلبة / الحالة | PG-TSDSON-8-FL (S308) | PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 5 mm x 6 mm) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS) | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C (junction) | -55 C to +150 C (junction) |
| مستوى MSL | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon datasheet) |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Gate Drive (typical) | 4.5 V | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 28 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | +/-20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1 V to 2.2 V (typical range, per datasheet) |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | approximately 2.0 mOhm |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 96 W |
| Packaging | — | Tape & Reel |