BSZ065N03LSATMA1 vs BSC020N03LSGATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSZ065N03LSATMA1 bằng Infineon và BSC020N03LSGATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
BSC020N03LSGATMA1 - 30V N-Channel OptiMOS 3, 100A TDSON-8 | Infineon
BSC020N03LSGATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSZ065N03LSATMA1 | BSC020N03LSGATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 30V | OptiMOS 3 |
| Kiểu transitor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 12 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 40 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 26 W | — |
| Hộp / Vỏ | PG-TSDSON-8-FL (S308) | PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 5 mm x 6 mm) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS) | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55C to +150C (junction) | -55 C to +150 C (junction) |
| Cấp MSL | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon datasheet) |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Gate Drive (typical) | 4.5 V | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 28 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | +/-20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1 V to 2.2 V (typical range, per datasheet) |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | approximately 2.0 mOhm |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 96 W |
| Packaging | — | Tape & Reel |