BSZ065N03LSATMA1 vs BSC020N03LSGATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSZ065N03LSATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC020N03LSGATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
BSC020N03LSGATMA1 - 30V N-Channel OptiMOS 3, 100A TDSON-8 | Infineon
BSC020N03LSGATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSZ065N03LSATMA1 | BSC020N03LSGATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 30V | OptiMOS 3 |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 12 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 40 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 26 W | — |
| پیکیج / کیس | PG-TSDSON-8-FL (S308) | PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 5 mm x 6 mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS) | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +150C (junction) | -55 C to +150 C (junction) |
| MSL لیول | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon datasheet) |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Gate Drive (typical) | 4.5 V | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 28 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | +/-20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1 V to 2.2 V (typical range, per datasheet) |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | approximately 2.0 mOhm |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 96 W |
| Packaging | — | Tape & Reel |