BSZ0901NSIATMA1 vs BSZ0904NSIATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSZ0901NSIATMA1 بواسطة Infineon و BSZ0904NSIATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSZ0901NSIATMA1 BSZ0904NSIATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSZ0901NSIATMA1 —
Series OptiMOS 25V —
Technology OptiMOS trench N-channel MOSFET OptiMOS (N-channel power MOSFET)
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 25 A 18 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 40 A 40 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25C 2.1 W —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 69 W —
العلبة PG-TSDSON-8-FL (TSDSON EP, 3.3 mm x 3.3 mm) PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3x3.3)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
عدد الأطراف 8 —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] [DATA_NEEDED: VGS(th)]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=4.5V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +150 C (typical MOSFET range) -55C to +150C
Packaging Tape & Reel (ATMA1 suffix = 13-inch reel) —
حالة RoHS Compliant Compliant
Drain-Source Voltage (VDS) max — 30 V
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — 4 mOhm
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Power Dissipation at Ta — 2.1 W
Power Dissipation at Tc — 37 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Integrated Schottky-like Diode — Yes (monolithic)
Avalanche Rated — 100% avalanche tested
Qualification — JEDEC qualified for target applications
Lead Plating — Pb-free
خالٍ من الهالوجين — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر