BSZ0901NSIATMA1 vs BSZ0904NSIATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSZ0901NSIATMA1 द्वारा Infineon और BSZ0904NSIATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
BSZ0901NSIATMA1 BSZ0901NSIATMA1 - 30V 40A OptiMOS N-MOSFET TSDSON-8 | Infineon

BSZ0901NSIATMA1 - 30V 40A OptiMOS N-MOSFET TSDSON-8 | Infineon

BSZ0901NSIATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
BSZ0904NSIATMA1 BSZ0904NSIATMA1 - 30V 40A OptiMOS N-FET SyncFET | Infineon

BSZ0904NSIATMA1 - 30V 40A OptiMOS N-FET SyncFET | Infineon

BSZ0904NSIATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर BSZ0901NSIATMA1 BSZ0904NSIATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSZ0901NSIATMA1 —
Series OptiMOS 25V —
Technology OptiMOS trench N-channel MOSFET OptiMOS (N-channel power MOSFET)
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 25 A 18 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 40 A 40 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25C 2.1 W —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 69 W —
पैकेज PG-TSDSON-8-FL (TSDSON EP, 3.3 mm x 3.3 mm) PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3x3.3)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
पिन काउंट 8 —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] [DATA_NEEDED: VGS(th)]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=4.5V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55 C to +150 C (typical MOSFET range) -55C to +150C
Packaging Tape & Reel (ATMA1 suffix = 13-inch reel) —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Drain-Source Voltage (VDS) max — 30 V
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — 4 mOhm
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Power Dissipation at Ta — 2.1 W
Power Dissipation at Tc — 37 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Integrated Schottky-like Diode — Yes (monolithic)
Avalanche Rated — 100% avalanche tested
Qualification — JEDEC qualified for target applications
Lead Plating — Pb-free
हैलोजन फ्री — Yes

डेटाशीट और संसाधन

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