BSZ0901NSIATMA1 vs BSZ0904NSIATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của BSZ0901NSIATMA1 bằng Infineon và BSZ0904NSIATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
BSZ0901NSIATMA1 BSZ0901NSIATMA1 - 30V 40A OptiMOS N-MOSFET TSDSON-8 | Infineon

BSZ0901NSIATMA1 - 30V 40A OptiMOS N-MOSFET TSDSON-8 | Infineon

BSZ0901NSIATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
BSZ0904NSIATMA1 BSZ0904NSIATMA1 - 30V 40A OptiMOS N-FET SyncFET | Infineon

BSZ0904NSIATMA1 - 30V 40A OptiMOS N-FET SyncFET | Infineon

BSZ0904NSIATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số BSZ0901NSIATMA1 BSZ0904NSIATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSZ0901NSIATMA1 —
Series OptiMOS 25V —
Technology OptiMOS trench N-channel MOSFET OptiMOS (N-channel power MOSFET)
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 25 A 18 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 40 A 40 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25C 2.1 W —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 69 W —
Hộp PG-TSDSON-8-FL (TSDSON EP, 3.3 mm x 3.3 mm) PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3x3.3)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Số chân 8 —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] [DATA_NEEDED: VGS(th)]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=4.5V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55 C to +150 C (typical MOSFET range) -55C to +150C
Packaging Tape & Reel (ATMA1 suffix = 13-inch reel) —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Drain-Source Voltage (VDS) max — 30 V
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — 4 mOhm
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Power Dissipation at Ta — 2.1 W
Power Dissipation at Tc — 37 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Integrated Schottky-like Diode — Yes (monolithic)
Avalanche Rated — 100% avalanche tested
Qualification — JEDEC qualified for target applications
Lead Plating — Pb-free
Đông trùng haogen — Yes

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá