BTT62001ENAXUMA1 vs BTT60101ERBXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BTT62001ENAXUMA1 بواسطة Infineon و BTT60101ERBXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BTT62001ENAXUMA1 BTT60101ERBXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type Smart High-Side Power Switch Smart High-Side Power Switch
البنية الطوبولوجية 1:1 N-Channel High-Side N-Channel vertical MOSFET with charge pump
On-State Resistance (Ron) 200 mΩ (typical) —
Continuous Load Current 1.5 A 9 A
Operating Voltage Range 5 V to 48 V —
Technology Smart6 HV (N-channel vertical MOSFET with charge pump) —
العلبة PG-TDSO-8-31 (DSO-8 with exposed pad) PG-TDSO-14-11 (SOIC-14-EP, Exposed Pad)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Protection Features Overload, Short-Circuit, Over-Temperature, Over-Voltage, Reverse Battery —
Diagnostic Output Current Sense (IS) pin Status pin (ST) and current sense (IS)
Lamp Drive Capability 1 × R10W at 24 V or 1 × R5W at 12 V —
درجة حرارة التشغيل -40 °C to +150 °C junction —
مستوى MSL 2A (4 weeks) —
ECCN EAR99 —
REACH Status REACH Unaffected —
Number of Channels — 1
On-State Resistance (Typ) — 10 mΩ
Supply Voltage Range — 5 V to 36 V
Reverse Battery Protection — up to -36 V
نطاق درجة حرارة التشغيل — -40 °C to +150 °C
Input Control Logic — Active High
Process Technology — Infineon Smart6
Targeted Lamp Load — 5 × P21W 24 V or 1 × H55W 12 V
Compliance — RoHS

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر