BTT62001ENAXUMA1 vs BTT60101ERBXUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BTT62001ENAXUMA1 מאת Infineon ו BTT60101ERBXUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר BTT62001ENAXUMA1 BTT60101ERBXUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Product Type Smart High-Side Power Switch Smart High-Side Power Switch
טופולוגיה 1:1 N-Channel High-Side N-Channel vertical MOSFET with charge pump
On-State Resistance (Ron) 200 mΩ (typical) —
Continuous Load Current 1.5 A 9 A
Operating Voltage Range 5 V to 48 V —
Technology Smart6 HV (N-channel vertical MOSFET with charge pump) —
מארז PG-TDSO-8-31 (DSO-8 with exposed pad) PG-TDSO-14-11 (SOIC-14-EP, Exposed Pad)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Protection Features Overload, Short-Circuit, Over-Temperature, Over-Voltage, Reverse Battery —
Diagnostic Output Current Sense (IS) pin Status pin (ST) and current sense (IS)
Lamp Drive Capability 1 × R10W at 24 V or 1 × R5W at 12 V —
טמפרטורת פעולה -40 °C to +150 °C junction —
רמת MSL 2A (4 weeks) —
ECCN EAR99 —
REACH Status REACH Unaffected —
Number of Channels — 1
On-State Resistance (Typ) — 10 mΩ
Supply Voltage Range — 5 V to 36 V
Reverse Battery Protection — up to -36 V
טווח טמפרטורת פעולה — -40 °C to +150 °C
Input Control Logic — Active High
Process Technology — Infineon Smart6
Targeted Lamp Load — 5 × P21W 24 V or 1 × H55W 12 V
Compliance — RoHS

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר