CSD17303Q5 vs CSD18503Q5A مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ CSD17303Q5 بواسطة Texas Instruments و CSD18503Q5A بواسطة Texas Instruments. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Texas Instruments
CSD17303Q5 CSD17303Q5 - 30V N-Ch NexFET MOSFET 2.6mOhm | TI

CSD17303Q5 - 30V N-Ch NexFET MOSFET 2.6mOhm | TI

CSD17303Q5 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل CSD17303Q5 CSD18503Q5A
العلامة التجارية Texas Instruments Texas Instruments
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Polarity N-Channel N-Channel
Vds Drain-Source Voltage 30 V —
Id Continuous Drain Current (Ta) 32 A —
Id Continuous Drain Current (Tc) 100 A —
Rds(on) On-Resistance 2.6 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 3.2 W 3.1 W
Gate Drive Optimization 5 V —
Gate Charge [DATA_NEEDED: Qg value] [DATA_NEEDED: Qg]
Avalanche Rated Yes —
درجة حرارة التشغيل -55C to +150C —
العلبة VSON-CLIP (DQH) 8-pin, 5x6 mm 8-VSONP (DQJ), 5 mm x 6 mm
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Terminal Plating Pb-free —
حالة RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
خالٍ من الهالوجين Yes —
Technology NexFET NexFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
On-Resistance (RDS(on)) — 4.3 mOhm (3.4 mOhm typical)
Continuous Drain Current (Ta) — 19 A
Continuous Drain Current (Tc) — 100 A
Power Dissipation (Tc) — 120 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55C to +150C
Configuration — Single
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
عدد الدبابيس — 8

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر