CSD17303Q5 vs CSD18503Q5A तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना CSD17303Q5 द्वारा Texas Instruments और CSD18503Q5A द्वारा Texas Instruments. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Texas Instruments
CSD17303Q5 CSD17303Q5 - 30V N-Ch NexFET MOSFET 2.6mOhm | TI

CSD17303Q5 - 30V N-Ch NexFET MOSFET 2.6mOhm | TI

CSD17303Q5 ✓ सक्रिय
Texas Instruments
CSD18503Q5A CSD18503Q5A - 40V N-Channel NexFET MOSFET 4.3mOhm | Texas Instruments

CSD18503Q5A - 40V N-Channel NexFET MOSFET 4.3mOhm | Texas Instruments

CSD18503Q5A ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर CSD17303Q5 CSD18503Q5A
ब्रांड Texas Instruments Texas Instruments
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Polarity N-Channel N-Channel
Vds Drain-Source Voltage 30 V —
Id Continuous Drain Current (Ta) 32 A —
Id Continuous Drain Current (Tc) 100 A —
Rds(on) On-Resistance 2.6 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 3.2 W 3.1 W
Gate Drive Optimization 5 V —
Gate Charge [DATA_NEEDED: Qg value] [DATA_NEEDED: Qg]
Avalanche Rated Yes —
ऑपरेटिंग तापमान -55C to +150C —
पैकेज VSON-CLIP (DQH) 8-pin, 5x6 mm 8-VSONP (DQJ), 5 mm x 6 mm
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Terminal Plating Pb-free —
RoHS स्थिति Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
हैलोजन फ्री Yes —
Technology NexFET NexFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
On-Resistance (RDS(on)) — 4.3 mOhm (3.4 mOhm typical)
Continuous Drain Current (Ta) — 19 A
Continuous Drain Current (Tc) — 100 A
Power Dissipation (Tc) — 120 W
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान — -55C to +150C
Configuration — Single
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
पिन की संख्या — 8

डेटाशीट और संसाधन

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