CSD18503Q5A vs CSD17303Q5 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ CSD18503Q5A بواسطة Texas Instruments و CSD17303Q5 بواسطة Texas Instruments. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Texas Instruments
CSD18503Q5A - 40V N-Channel NexFET MOSFET 4.3mOhm | Texas Instruments
CSD18503Q5A ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | CSD18503Q5A | CSD17303Q5 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Texas Instruments | Texas Instruments |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Polarity | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 4.3 mOhm (3.4 mOhm typical) | — |
| Continuous Drain Current (Ta) | 19 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 100 A | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3.1 W | 3.2 W |
| Power Dissipation (Tc) | 120 W | — |
| Technology | NexFET | NexFET |
| العلبة | 8-VSONP (DQJ), 5 mm x 6 mm | VSON-CLIP (DQH) 8-pin, 5x6 mm |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55C to +150C | — |
| Configuration | Single | — |
| Gate Charge | [DATA_NEEDED: Qg] | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| عدد الدبابيس | 8 | — |
| Vds Drain-Source Voltage | — | 30 V |
| Id Continuous Drain Current (Ta) | — | 32 A |
| Id Continuous Drain Current (Tc) | — | 100 A |
| Rds(on) On-Resistance | — | 2.6 mOhm |
| Gate Drive Optimization | — | 5 V |
| Avalanche Rated | — | Yes |
| درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +150C |
| Terminal Plating | — | Pb-free |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes |