CSD18503Q5A vs CSD17303Q5 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از CSD18503Q5A بذریعہ Texas Instruments اور CSD17303Q5 بذریعہ Texas Instruments. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Texas Instruments
CSD17303Q5 CSD17303Q5 - 30V N-Ch NexFET MOSFET 2.6mOhm | TI

CSD17303Q5 - 30V N-Ch NexFET MOSFET 2.6mOhm | TI

CSD17303Q5 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر CSD18503Q5A CSD17303Q5
برانڈ Texas Instruments Texas Instruments
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
On-Resistance (RDS(on)) 4.3 mOhm (3.4 mOhm typical) —
Continuous Drain Current (Ta) 19 A —
Continuous Drain Current (Tc) 100 A —
Power Dissipation (Ta) 3.1 W 3.2 W
Power Dissipation (Tc) 120 W —
Technology NexFET NexFET
پیکیج 8-VSONP (DQJ), 5 mm x 6 mm VSON-CLIP (DQH) 8-pin, 5x6 mm
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +150C —
Configuration Single —
Gate Charge [DATA_NEEDED: Qg] [DATA_NEEDED: Qg value]
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
RoHS اسٹیٹس [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
پنز کی تعداد 8 —
Vds Drain-Source Voltage — 30 V
Id Continuous Drain Current (Ta) — 32 A
Id Continuous Drain Current (Tc) — 100 A
Rds(on) On-Resistance — 2.6 mOhm
Gate Drive Optimization — 5 V
Avalanche Rated — Yes
آپریٹنگ درجہ حرارت — -55C to +150C
Terminal Plating — Pb-free
ہیلوجن فری — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں