CSD18503Q5A vs CSD19534Q5A مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ CSD18503Q5A بواسطة Texas Instruments و CSD19534Q5A بواسطة Texas Instruments. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Texas Instruments
CSD18503Q5A - 40V N-Channel NexFET MOSFET 4.3mOhm | Texas Instruments
CSD18503Q5A ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | CSD18503Q5A | CSD19534Q5A |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Texas Instruments | Texas Instruments |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 4.3 mOhm (3.4 mOhm typical) | — |
| Continuous Drain Current (Ta) | 19 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 100 A | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3.1 W | 3.2 W |
| Power Dissipation (Tc) | 120 W | 63 W |
| Technology | NexFET | NexFET (Power MOSFET) |
| العلبة | 8-VSONP (DQJ), 5 mm x 6 mm | 8-VSONP (5x6 mm) with exposed pad |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55C to +150C | — |
| Configuration | Single | — |
| Gate Charge | [DATA_NEEDED: Qg] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| عدد الدبابيس | 8 | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 44 A |
| On-Resistance RDS(on) | — | 12.6 mΩ (typ per datasheet description) |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V] |
| مستوى MSL | — | 1-260C-UNLIM |
| عدد الأطراف | — | 8 |