CSD18503Q5A vs CSD19534Q5A השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של CSD18503Q5A מאת Texas Instruments ו CSD19534Q5A מאת Texas Instruments. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Texas Instruments
CSD19534Q5A CSD19534Q5A - 100V NexFET N-Channel MOSFET | Texas Instruments

CSD19534Q5A - 100V NexFET N-Channel MOSFET | Texas Instruments

CSD19534Q5A ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר CSD18503Q5A CSD19534Q5A
מותג Texas Instruments Texas Instruments
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
On-Resistance (RDS(on)) 4.3 mOhm (3.4 mOhm typical) —
Continuous Drain Current (Ta) 19 A —
Continuous Drain Current (Tc) 100 A —
Power Dissipation (Ta) 3.1 W 3.2 W
Power Dissipation (Tc) 120 W 63 W
Technology NexFET NexFET (Power MOSFET)
מארז 8-VSONP (DQJ), 5 mm x 6 mm 8-VSONP (5x6 mm) with exposed pad
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טמפרטורת צומת פעולה -55C to +150C —
Configuration Single —
Gate Charge [DATA_NEEDED: Qg] —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
סטטוס RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
מספר פינים 8 —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 44 A
On-Resistance RDS(on) — 12.6 mΩ (typ per datasheet description)
טווח טמפרטורת פעולה — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V]
רמת MSL — 1-260C-UNLIM
מספר פינים — 8

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר