E3AD8G16A4-HR vs K4A8G165WC-BCRC مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ E3AD8G16A4-HR بواسطة ELIXIR/NANYA و K4A8G165WC-BCRC بواسطة Samsung Electro-Mechanics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

ELIXIR/NANYA
E3AD8G16A4-HR E3AD8G16A4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ELIXIR/NANYA

E3AD8G16A4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ELIXIR/NANYA

E3AD8G16A4-HR ✓ نشط
Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل E3AD8G16A4-HR K4A8G165WC-BCRC
العلامة التجارية ELIXIR/NANYA Samsung Electro-Mechanics
الفئة Memory ICs EEPROM
حالة دورة الحياة نشط نشط
حالة المخزون — In Stock
سعر الوحدة (USD) — $19.69
نوع الذاكرة DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
التنظيم 512M x 16 512M x 16
Density 8 Gb —
جهد التغذية 1.2 V 1.2 V (1.14 V to 1.26 V)
العلبة TFBGA-96 96-FBGA (TFBGA)
معدل البيانات 3200 MT/s 2400 Mbps
زمن الوصول CAS 22 —
Burst Length 8 (BC4 optional) —
Number of Banks 16 (4 bank groups) —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
درجة حرارة التشغيل 0C to +95C (TCASE) 0 C to +95 C
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Speed Grade DDR4-3200 —
حجم الذاكرة — 8 Gbit
Clock Frequency — 1333 MHz
الواجهة — Parallel, 16-bit DDR
Standby Current (Idle) — 2 mA
Operating Current — 64 mA
الميزات — Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask
Die Generation — C-die
Memory Format — DRAM
حالة RoHS — Compliant

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر