E3AD8G16A4-HR vs K4A8G165WC-BCRC Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng E3AD8G16A4-HR sa pamamagitan ng ELIXIR/NANYA at K4A8G165WC-BCRC sa pamamagitan ng Samsung Electro-Mechanics. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung
K4A8G165WC-BCRC ✓ NakahandaPagsanggunian na paghahambing
| Parametro | E3AD8G16A4-HR | K4A8G165WC-BCRC |
|---|---|---|
| Brand | ELIXIR/NANYA | Samsung Electro-Mechanics |
| Kategorya | Memory ICs | EEPROM |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Katayuan ng Stock | — | In Stock |
| Presyo ng Yunit (USD) | — | $19.69 |
| Uri ng Memory | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Organisasyon | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Density | 8 Gb | — |
| Volte ng Pagbibigay | 1.2 V | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Packhaging | TFBGA-96 | 96-FBGA (TFBGA) |
| Rate ng Data | 3200 MT/s | 2400 Mbps |
| Latensya ng CAS | 22 | — |
| Burst Length | 8 (BC4 optional) | — |
| Number of Banks | 16 (4 bank groups) | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| Temperature na Operasyon | 0C to +95C (TCASE) | 0 C to +95 C |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Uri ng Pagpapasok | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade | DDR4-3200 | — |
| Laki ng Memory | — | 8 Gbit |
| Clock Frequency | — | 1333 MHz |
| Interface | — | Parallel, 16-bit DDR |
| Standby Current (Idle) | — | 2 mA |
| Operating Current | — | 64 mA |
| Mga Karakteristika | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Die Generation | — | C-die |
| Memory Format | — | DRAM |
| Tindminan RoHS | — | Compliant |