E3AD8G16A4-HR vs K4A8G165WC-BCRC So sánh

So sánh chi tiết song song của E3AD8G16A4-HR bằng ELIXIR/NANYA và K4A8G165WC-BCRC bằng Samsung Electro-Mechanics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

ELIXIR/NANYA
E3AD8G16A4-HR E3AD8G16A4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ELIXIR/NANYA

E3AD8G16A4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ELIXIR/NANYA

E3AD8G16A4-HR ✓ Hoạt động
Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số E3AD8G16A4-HR K4A8G165WC-BCRC
Thương hiệu ELIXIR/NANYA Samsung Electro-Mechanics
Danh mục Memory ICs EEPROM
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Trạng thái kho — In Stock
Giá đơn vị (USD) — $19,69
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Tổ chức 512M x 16 512M x 16
Density 8 Gb —
Điện áp cung cấp 1.2 V 1.2 V (1.14 V to 1.26 V)
Hộp TFBGA-96 96-FBGA (TFBGA)
Tốc độ dữ liệu 3200 MT/s 2400 Mbps
Latency CAS 22 —
Burst Length 8 (BC4 optional) —
Number of Banks 16 (4 bank groups) —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
Nhiệt độ hoạt động 0C to +95C (TCASE) 0 C to +95 C
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Speed Grade DDR4-3200 —
Kích thước bộ nhớ — 8 Gbit
Clock Frequency — 1333 MHz
Giao diện — Parallel, 16-bit DDR
Standby Current (Idle) — 2 mA
Operating Current — 64 mA
Tính năng — Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask
Die Generation — C-die
Memory Format — DRAM
Trạng thái RoHS — Compliant

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá