E3AD8G16A4-HR vs K4A8G165WC-BCRC Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci E3AD8G16A4-HR disebabkan oleh ELIXIR/NANYA dan K4A8G165WC-BCRC disebabkan oleh Samsung Electro-Mechanics. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

ELIXIR/NANYA
E3AD8G16A4-HR E3AD8G16A4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ELIXIR/NANYA

E3AD8G16A4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ELIXIR/NANYA

E3AD8G16A4-HR ✓ Aktif
Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC ✓ Aktif

Pengandingan Spesifikasi

Parametr E3AD8G16A4-HR K4A8G165WC-BCRC
Merek ELIXIR/NANYA Samsung Electro-Mechanics
Kategori Memory ICs EEPROM
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Status Stok — In Stock
Harga Unit (USD) — $19.69
Jenis Ingatan DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Organisasi 512M x 16 512M x 16
Density 8 Gb —
Tegangan Pemberi Arus 1.2 V 1.2 V (1.14 V to 1.26 V)
Kemasan TFBGA-96 96-FBGA (TFBGA)
Kadar Data 3200 MT/s 2400 Mbps
Latensi CAS 22 —
Burst Length 8 (BC4 optional) —
Number of Banks 16 (4 bank groups) —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
Suhu Operasi 0C to +95C (TCASE) 0 C to +95 C
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Speed Grade DDR4-3200 —
Saiz Ingatan — 8 Gbit
Clock Frequency — 1333 MHz
Antaramuka — Parallel, 16-bit DDR
Standby Current (Idle) — 2 mA
Operating Current — 64 mA
Ciri-ciri — Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask
Die Generation — C-die
Memory Format — DRAM
Status RoHS — Compliant

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga