E3AD8G16A4-HR vs K4A8G165WC-BCRC השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של E3AD8G16A4-HR מאת ELIXIR/NANYA ו K4A8G165WC-BCRC מאת Samsung Electro-Mechanics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

ELIXIR/NANYA
E3AD8G16A4-HR E3AD8G16A4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ELIXIR/NANYA

E3AD8G16A4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ELIXIR/NANYA

E3AD8G16A4-HR ✓ פעיל
Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר E3AD8G16A4-HR K4A8G165WC-BCRC
מותג ELIXIR/NANYA Samsung Electro-Mechanics
קטגוריה Memory ICs EEPROM
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סטטוס מלאי — In Stock
מחיר ליחידה (USD) — $19.69
סוג זיכרון DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
ארגון 512M x 16 512M x 16
Density 8 Gb —
מתח אספקה 1.2 V 1.2 V (1.14 V to 1.26 V)
מארז TFBGA-96 96-FBGA (TFBGA)
קצב נתונים 3200 MT/s 2400 Mbps
השהיית CAS 22 —
Burst Length 8 (BC4 optional) —
Number of Banks 16 (4 bank groups) —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
טמפרטורת פעולה 0C to +95C (TCASE) 0 C to +95 C
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Speed Grade DDR4-3200 —
גודל זיכרון — 8 Gbit
Clock Frequency — 1333 MHz
ממשק — Parallel, 16-bit DDR
Standby Current (Idle) — 2 mA
Operating Current — 64 mA
תכונות — Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask
Die Generation — C-die
Memory Format — DRAM
סטטוס RoHS — Compliant

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר