E3AD8G16A4-HR vs K4A8G165WC-BCRC तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना E3AD8G16A4-HR द्वारा ELIXIR/NANYA और K4A8G165WC-BCRC द्वारा Samsung Electro-Mechanics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

ELIXIR/NANYA
E3AD8G16A4-HR E3AD8G16A4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ELIXIR/NANYA

E3AD8G16A4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ELIXIR/NANYA

E3AD8G16A4-HR ✓ सक्रिय
Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर E3AD8G16A4-HR K4A8G165WC-BCRC
ब्रांड ELIXIR/NANYA Samsung Electro-Mechanics
श्रेणी Memory ICs EEPROM
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
स्टॉक स्थिति — In Stock
यूनिट मूल्य (USD) — $19.69
मेमोरी प्रकार DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
संगठन 512M x 16 512M x 16
Density 8 Gb —
सप्लाई वोल्टेज 1.2 V 1.2 V (1.14 V to 1.26 V)
पैकेज TFBGA-96 96-FBGA (TFBGA)
डेटा दर 3200 MT/s 2400 Mbps
CAS लेटेंसी 22 —
Burst Length 8 (BC4 optional) —
Number of Banks 16 (4 bank groups) —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
ऑपरेटिंग तापमान 0C to +95C (TCASE) 0 C to +95 C
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Speed Grade DDR4-3200 —
मेमोरी आकार — 8 Gbit
Clock Frequency — 1333 MHz
इंटरफ़ेस — Parallel, 16-bit DDR
Standby Current (Idle) — 2 mA
Operating Current — 64 mA
विशेषताएँ — Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask
Die Generation — C-die
Memory Format — DRAM
RoHS स्थिति — Compliant

डेटाशीट और संसाधन

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