EDB1332BDBH-1DAUT-F-R vs EDB1332BDBH-1DAUT-F-D مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ EDB1332BDBH-1DAUT-F-R بواسطة Micron Technology و EDB1332BDBH-1DAUT-F-D بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
EDB1332BDBH-1DAUT-F-R EDB1332BDBH-1DAUT-F-R - 1Gbit LPDDR2 SDRAM 533MHz | Micron

EDB1332BDBH-1DAUT-F-R - 1Gbit LPDDR2 SDRAM 533MHz | Micron

EDB1332BDBH-1DAUT-F-R ✓ نشط
Micron Technology
EDB1332BDBH-1DAUT-F-D EDB1332BDBH-1DAUT-F-D - 1Gbit LPDDR2 533MHz | Micron

EDB1332BDBH-1DAUT-F-D - 1Gbit LPDDR2 533MHz | Micron

EDB1332BDBH-1DAUT-F-D ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل EDB1332BDBH-1DAUT-F-R EDB1332BDBH-1DAUT-F-D
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
سعر الوحدة (USD) — $2.16
نوع الذاكرة SDRAM Mobile - LPDDR2 SDRAM - Mobile LPDDR2
حجم الذاكرة 1 Gbit 1 Gbit
التنظيم 32M x 32 32M x 32
عرض ناقل البيانات 32 bit —
Clock Frequency 533 MHz 533 MHz
الواجهة Parallel Parallel
Supply Voltage - Min 1.14 V —
Supply Voltage - Typ 1.2 V —
Operating Temperature - Min -40 C —
Operating Temperature - Max +125 C —
العلبة 134-VFBGA (10 mm x 11.5 mm) 134-VFBGA (10 x 11.5 mm)
JEDEC Package Code R-PBGA-B134 —
نمط التركيب SMD/SMT —
Factory Pack Quantity 1000 —
Packaging Tape & Reel (-R suffix) —
Technology CMOS —
حالة RoHS Compliant —
Core Supply Voltage — 1.2 V
Supply Voltage Range — 1.14 V to 1.95 V
Access Mode — Single Bank Page Burst
Number of Terminals — 134
نوع التركيب — Surface Mount
Temperature Grade — Automotive
Package Shape — Rectangular
Packaging Suffix — -D (Dry Pack)
Moisture Sensitivity — Dry Pack (per -D suffix)
درجة حرارة التشغيل — [DATA_NEEDED: Operating Temperature]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر