EDB1332BDBH-1DAUT-F-R vs EDB1332BDBH-1DAUT-F-D तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना EDB1332BDBH-1DAUT-F-R द्वारा Micron Technology और EDB1332BDBH-1DAUT-F-D द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
EDB1332BDBH-1DAUT-F-R EDB1332BDBH-1DAUT-F-R - 1Gbit LPDDR2 SDRAM 533MHz | Micron

EDB1332BDBH-1DAUT-F-R - 1Gbit LPDDR2 SDRAM 533MHz | Micron

EDB1332BDBH-1DAUT-F-R ✓ सक्रिय
Micron Technology
EDB1332BDBH-1DAUT-F-D EDB1332BDBH-1DAUT-F-D - 1Gbit LPDDR2 533MHz | Micron

EDB1332BDBH-1DAUT-F-D - 1Gbit LPDDR2 533MHz | Micron

EDB1332BDBH-1DAUT-F-D ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर EDB1332BDBH-1DAUT-F-R EDB1332BDBH-1DAUT-F-D
ब्रांड Micron Technology Micron Technology
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
यूनिट मूल्य (USD) — $2.16
मेमोरी प्रकार SDRAM Mobile - LPDDR2 SDRAM - Mobile LPDDR2
मेमोरी आकार 1 Gbit 1 Gbit
संगठन 32M x 32 32M x 32
डेटा बस चौड़ाई 32 bit —
Clock Frequency 533 MHz 533 MHz
इंटरफ़ेस Parallel Parallel
Supply Voltage - Min 1.14 V —
Supply Voltage - Typ 1.2 V —
Operating Temperature - Min -40 C —
Operating Temperature - Max +125 C —
पैकेज 134-VFBGA (10 mm x 11.5 mm) 134-VFBGA (10 x 11.5 mm)
JEDEC Package Code R-PBGA-B134 —
माउंटिंग स्टाइल SMD/SMT —
Factory Pack Quantity 1000 —
Packaging Tape & Reel (-R suffix) —
Technology CMOS —
RoHS स्थिति Compliant —
Core Supply Voltage — 1.2 V
Supply Voltage Range — 1.14 V to 1.95 V
Access Mode — Single Bank Page Burst
Number of Terminals — 134
माउंटिंग प्रकार — Surface Mount
Temperature Grade — Automotive
Package Shape — Rectangular
Packaging Suffix — -D (Dry Pack)
Moisture Sensitivity — Dry Pack (per -D suffix)
ऑपरेटिंग तापमान — [DATA_NEEDED: Operating Temperature]

डेटाशीट और संसाधन

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