EDB1332BDBH-1DAUT-F-R vs EDB1332BDBH-1DAUT-F-D 比較

詳細並排比較 EDB1332BDBH-1DAUT-F-R 由 Micron Technology 與 EDB1332BDBH-1DAUT-F-D 由 Micron Technology. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況,以找出最符合您設計需求的元件。

Micron Technology
EDB1332BDBH-1DAUT-F-R EDB1332BDBH-1DAUT-F-R - 1Gbit LPDDR2 SDRAM 533MHz | Micron

EDB1332BDBH-1DAUT-F-R - 1Gbit LPDDR2 SDRAM 533MHz | Micron

EDB1332BDBH-1DAUT-F-R ✓ 啟用中
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EDB1332BDBH-1DAUT-F-D EDB1332BDBH-1DAUT-F-D - 1Gbit LPDDR2 533MHz | Micron

EDB1332BDBH-1DAUT-F-D - 1Gbit LPDDR2 533MHz | Micron

EDB1332BDBH-1DAUT-F-D ✓ 啟用中

規格比較

參數 EDB1332BDBH-1DAUT-F-R EDB1332BDBH-1DAUT-F-D
品牌 Micron Technology Micron Technology
類別 Memory ICs Memory ICs
生命週期狀態 啟用中 啟用中
單價 (USD) — $2.16
記憶體類型 SDRAM Mobile - LPDDR2 SDRAM - Mobile LPDDR2
記憶體容量 1 Gbit 1 Gbit
組織 32M x 32 32M x 32
資料匯流排寬度 32 bit —
Clock Frequency 533 MHz 533 MHz
介面 Parallel Parallel
Supply Voltage - Min 1.14 V —
Supply Voltage - Typ 1.2 V —
Operating Temperature - Min -40 C —
Operating Temperature - Max +125 C —
封裝 134-VFBGA (10 mm x 11.5 mm) 134-VFBGA (10 x 11.5 mm)
JEDEC Package Code R-PBGA-B134 —
安裝方式 SMD/SMT —
Factory Pack Quantity 1000 —
Packaging Tape & Reel (-R suffix) —
Technology CMOS —
RoHS 狀態 Compliant —
Core Supply Voltage — 1.2 V
Supply Voltage Range — 1.14 V to 1.95 V
Access Mode — Single Bank Page Burst
Number of Terminals — 134
安裝類型 — Surface Mount
Temperature Grade — Automotive
Package Shape — Rectangular
Packaging Suffix — -D (Dry Pack)
Moisture Sensitivity — Dry Pack (per -D suffix)
工作溫度 — [DATA_NEEDED: Operating Temperature]

資料表與資源

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