EP2S130F1020C3 vs EP2S180F1020C3 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ EP2S130F1020C3 بواسطة Intel و EP2S180F1020C3 بواسطة Intel. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل EP2S130F1020C3 EP2S180F1020C3
العلامة التجارية Intel Intel
الفئة FPGA & CPLD FPGA & CPLD
حالة دورة الحياة NRND Obsolete
Series Stratix II Stratix II
Family Stratix II —
Logic Elements / Cells 132,540 —
Logic Array Blocks (LABs) 6,627 8,970
User I/Os 742 —
Embedded Memory (TriMatrix) [DATA_NEEDED: total Mbits] —
DSP / Multiplier Blocks [DATA_NEEDED: DSP block count] —
Transceivers Logic-rich SKU (no transceiver; transceiver variants use different suffix) —
Maximum Internal Frequency 778.82 MHz (per family datasheet) —
Process Technology 90 nm —
Core Supply Voltage (VCCINT) 1.15 V to 1.25 V —
العلبة / الحالة 1020-BBGA (FC-FBGA), 33x33 mm —
Supplier Device Package 1020-FBGA (33x33) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
درجة حرارة التشغيل 0C to +85C (commercial, 'C' speed grade) Commercial (0C to +85C)
Speed Grade C3 (commercial, -3 speed) C3
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Device Family — EP2S180
Equivalent Logic Elements (LEs) — 179,400
Embedded Memory (RAM bits) — 9,383,040
Maximum User I/Os — 742
العلبة — 1020-ball FBGA (flip-chip BGA)
Process Node — 90 nm, all-layer copper SRAM
Core Voltage — 1.2 V
DSP Blocks — Dedicated high-speed multipliers
Memory Interfaces Supported — DDR2 SDRAM, QDRII SRAM, RLDRAM II
I/O Standards — LVDS, LVPECL, SSTL, HSTL
Configuration Method — SRAM-based (volatile, requires boot device)
Development Toolchain — Quartus II / Quartus Prime

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر