EP2S130F1020C3 vs EP2S180F1020C3 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma EP2S130F1020C3 tarafından Intel ve EP2S180F1020C3 tarafından IntelAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre EP2S130F1020C3 EP2S180F1020C3
Marka Intel Intel
Kategori FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Yaşam Döngüsü Durumu NRND Obsolete
Series Stratix II Stratix II
Family Stratix II —
Logic Elements / Cells 132,540 —
Logic Array Blocks (LABs) 6,627 8,970
User I/Os 742 —
Embedded Memory (TriMatrix) [DATA_NEEDED: total Mbits] —
DSP / Multiplier Blocks [DATA_NEEDED: DSP block count] —
Transceivers Logic-rich SKU (no transceiver; transceiver variants use different suffix) —
Maximum Internal Frequency 778.82 MHz (per family datasheet) —
Process Technology 90 nm —
Core Supply Voltage (VCCINT) 1.15 V to 1.25 V —
Paket / Kas 1020-BBGA (FC-FBGA), 33x33 mm —
Supplier Device Package 1020-FBGA (33x33) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı 0C to +85C (commercial, 'C' speed grade) Commercial (0C to +85C)
Speed Grade C3 (commercial, -3 speed) C3
RoHS Durumu [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL level] —
Device Family — EP2S180
Equivalent Logic Elements (LEs) — 179,400
Embedded Memory (RAM bits) — 9,383,040
Maximum User I/Os — 742
Paket — 1020-ball FBGA (flip-chip BGA)
Process Node — 90 nm, all-layer copper SRAM
Core Voltage — 1.2 V
DSP Blocks — Dedicated high-speed multipliers
Memory Interfaces Supported — DDR2 SDRAM, QDRII SRAM, RLDRAM II
I/O Standards — LVDS, LVPECL, SSTL, HSTL
Configuration Method — SRAM-based (volatile, requires boot device)
Development Toolchain — Quartus II / Quartus Prime

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin