EP2S130F1020C3 vs EP2S180F1020C3 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP2S130F1020C3 द्वारा Intel और EP2S180F1020C3 द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

विशेषता तुलना

पैरामीटर EP2S130F1020C3 EP2S180F1020C3
ब्रांड Intel Intel
श्रेणी FPGA & CPLD FPGA & CPLD
लाइफसाइकिल स्थिति NRND Obsolete
Series Stratix II Stratix II
Family Stratix II —
Logic Elements / Cells 132,540 —
Logic Array Blocks (LABs) 6,627 8,970
User I/Os 742 —
Embedded Memory (TriMatrix) [DATA_NEEDED: total Mbits] —
DSP / Multiplier Blocks [DATA_NEEDED: DSP block count] —
Transceivers Logic-rich SKU (no transceiver; transceiver variants use different suffix) —
Maximum Internal Frequency 778.82 MHz (per family datasheet) —
Process Technology 90 nm —
Core Supply Voltage (VCCINT) 1.15 V to 1.25 V —
पैकेज / केस 1020-BBGA (FC-FBGA), 33x33 mm —
Supplier Device Package 1020-FBGA (33x33) —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान 0C to +85C (commercial, 'C' speed grade) Commercial (0C to +85C)
Speed Grade C3 (commercial, -3 speed) C3
RoHS स्थिति [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
MSL स्तर [DATA_NEEDED: MSL level] —
Device Family — EP2S180
Equivalent Logic Elements (LEs) — 179,400
Embedded Memory (RAM bits) — 9,383,040
Maximum User I/Os — 742
पैकेज — 1020-ball FBGA (flip-chip BGA)
Process Node — 90 nm, all-layer copper SRAM
Core Voltage — 1.2 V
DSP Blocks — Dedicated high-speed multipliers
Memory Interfaces Supported — DDR2 SDRAM, QDRII SRAM, RLDRAM II
I/O Standards — LVDS, LVPECL, SSTL, HSTL
Configuration Method — SRAM-based (volatile, requires boot device)
Development Toolchain — Quartus II / Quartus Prime

डेटाशीट और संसाधन

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