EP2S130F1020C3 vs EP2S180F1020C3 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של EP2S130F1020C3 מאת Intel ו EP2S180F1020C3 מאת Intel. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר EP2S130F1020C3 EP2S180F1020C3
מותג Intel Intel
קטגוריה FPGA & CPLD FPGA & CPLD
סטטוס מחזור חיים NRND Obsolete
Series Stratix II Stratix II
Family Stratix II —
Logic Elements / Cells 132,540 —
Logic Array Blocks (LABs) 6,627 8,970
User I/Os 742 —
Embedded Memory (TriMatrix) [DATA_NEEDED: total Mbits] —
DSP / Multiplier Blocks [DATA_NEEDED: DSP block count] —
Transceivers Logic-rich SKU (no transceiver; transceiver variants use different suffix) —
Maximum Internal Frequency 778.82 MHz (per family datasheet) —
Process Technology 90 nm —
Core Supply Voltage (VCCINT) 1.15 V to 1.25 V —
מארז / Case 1020-BBGA (FC-FBGA), 33x33 mm —
Supplier Device Package 1020-FBGA (33x33) —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טמפרטורת פעולה 0C to +85C (commercial, 'C' speed grade) Commercial (0C to +85C)
Speed Grade C3 (commercial, -3 speed) C3
סטטוס RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Device Family — EP2S180
Equivalent Logic Elements (LEs) — 179,400
Embedded Memory (RAM bits) — 9,383,040
Maximum User I/Os — 742
מארז — 1020-ball FBGA (flip-chip BGA)
Process Node — 90 nm, all-layer copper SRAM
Core Voltage — 1.2 V
DSP Blocks — Dedicated high-speed multipliers
Memory Interfaces Supported — DDR2 SDRAM, QDRII SRAM, RLDRAM II
I/O Standards — LVDS, LVPECL, SSTL, HSTL
Configuration Method — SRAM-based (volatile, requires boot device)
Development Toolchain — Quartus II / Quartus Prime

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר