EP3SL200H780C3N vs EP3SE260H780C3N مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ EP3SL200H780C3N بواسطة Intel و EP3SE260H780C3N بواسطة Intel. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل EP3SL200H780C3N EP3SE260H780C3N
العلامة التجارية Intel Intel
الفئة FPGA & CPLD FPGA & CPLD
حالة دورة الحياة NRND نشط
Family Stratix III L (low-power) —
Process Node 40 nm —
Logic Elements 200,000 —
Embedded Memory Bits 10,901,504 bits —
Logic Array Blocks (LABs) 8,000 —
User I/Os 488 488
العلبة 780-Ball FCBGA (HBGA), 29 x 29 mm 780-BBGA, FCBGA (H780)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Maximum Internal Clock Frequency 800 MHz —
Transceivers 24 channels, up to 3.75 Gbps [DATA_NEEDED: number of embedded transceivers and max data rate]
DSP Blocks 384 [DATA_NEEDED: number of DSP blocks and precision]
Speed Grade C3 (commercial, -3 speed) —
درجة حرارة التشغيل 0C to +85C (commercial) 0 °C to +85 °C (C grade, commercial)
Voltage - Core 0.9 V / 1.0 V (core, VCC) —
Voltage - I/O 1.2 V to 3.3 V (VCCIO banks) —
مستوى MSL 3 —
Lead-Free / RoHS Yes —
Mounting Pitch 1.0 mm ball pitch —
PLLs 12 (Stratix III PLL array) —
Configuration JTAG IEEE Std 1149.1, passive/active serial —
Series — Stratix® III E
Logic Elements (LE) — 255,000
Embedded Memory (bits) — 16,672,768
Number of LABs/CLBs — 10,200
Number of Pins / Balls — 780
Process Technology — 40 nm CMOS
Maximum Core Frequency — [DATA_NEEDED: maximum core frequency MHz]
Supply Voltage (VCCINT) — [DATA_NEEDED: VCCINT nominal V]
حالة RoHS — Compliant (lead-free 'N' suffix)
مستوى حساسية الرطوبة (MSL) — [DATA_NEEDED: MSL level per JEDEC J-STD-020]
Configuration Method — SRAM-based, configured via JTAG / passive / active serial / fast passive parallel
Design Toolchain — Altera Quartus II (legacy); Intel Quartus Prime

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر