EP3SL200H780C3N vs EP3SE260H780C3N השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של EP3SL200H780C3N מאת Intel ו EP3SE260H780C3N מאת Intel. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר EP3SL200H780C3N EP3SE260H780C3N
מותג Intel Intel
קטגוריה FPGA & CPLD FPGA & CPLD
סטטוס מחזור חיים NRND פעיל
Family Stratix III L (low-power) —
Process Node 40 nm —
Logic Elements 200,000 —
Embedded Memory Bits 10,901,504 bits —
Logic Array Blocks (LABs) 8,000 —
User I/Os 488 488
מארז 780-Ball FCBGA (HBGA), 29 x 29 mm 780-BBGA, FCBGA (H780)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Maximum Internal Clock Frequency 800 MHz —
Transceivers 24 channels, up to 3.75 Gbps [DATA_NEEDED: number of embedded transceivers and max data rate]
DSP Blocks 384 [DATA_NEEDED: number of DSP blocks and precision]
Speed Grade C3 (commercial, -3 speed) —
טמפרטורת פעולה 0C to +85C (commercial) 0 °C to +85 °C (C grade, commercial)
Voltage - Core 0.9 V / 1.0 V (core, VCC) —
Voltage - I/O 1.2 V to 3.3 V (VCCIO banks) —
רמת MSL 3 —
Lead-Free / RoHS Yes —
Mounting Pitch 1.0 mm ball pitch —
PLLs 12 (Stratix III PLL array) —
Configuration JTAG IEEE Std 1149.1, passive/active serial —
Series — Stratix® III E
Logic Elements (LE) — 255,000
Embedded Memory (bits) — 16,672,768
Number of LABs/CLBs — 10,200
Number of Pins / Balls — 780
Process Technology — 40 nm CMOS
Maximum Core Frequency — [DATA_NEEDED: maximum core frequency MHz]
Supply Voltage (VCCINT) — [DATA_NEEDED: VCCINT nominal V]
סטטוס RoHS — Compliant (lead-free 'N' suffix)
רמת רגישות ללחות (MSL) — [DATA_NEEDED: MSL level per JEDEC J-STD-020]
Configuration Method — SRAM-based, configured via JTAG / passive / active serial / fast passive parallel
Design Toolchain — Altera Quartus II (legacy); Intel Quartus Prime

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר