EP3SL200H780C3N vs EP3SE260H780C3N So sánh

So sánh chi tiết song song của EP3SL200H780C3N bằng Intel và EP3SE260H780C3N bằng Intel. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số EP3SL200H780C3N EP3SE260H780C3N
Thương hiệu Intel Intel
Danh mục FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Trạng thái vòng đời NRND Hoạt động
Family Stratix III L (low-power) —
Process Node 40 nm —
Logic Elements 200,000 —
Embedded Memory Bits 10,901,504 bits —
Logic Array Blocks (LABs) 8,000 —
User I/Os 488 488
Hộp 780-Ball FCBGA (HBGA), 29 x 29 mm 780-BBGA, FCBGA (H780)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Maximum Internal Clock Frequency 800 MHz —
Transceivers 24 channels, up to 3.75 Gbps [DATA_NEEDED: number of embedded transceivers and max data rate]
DSP Blocks 384 [DATA_NEEDED: number of DSP blocks and precision]
Speed Grade C3 (commercial, -3 speed) —
Nhiệt độ hoạt động 0C to +85C (commercial) 0 °C to +85 °C (C grade, commercial)
Voltage - Core 0.9 V / 1.0 V (core, VCC) —
Voltage - I/O 1.2 V to 3.3 V (VCCIO banks) —
Cấp MSL 3 —
Lead-Free / RoHS Yes —
Mounting Pitch 1.0 mm ball pitch —
PLLs 12 (Stratix III PLL array) —
Configuration JTAG IEEE Std 1149.1, passive/active serial —
Series — Stratix® III E
Logic Elements (LE) — 255,000
Embedded Memory (bits) — 16,672,768
Number of LABs/CLBs — 10,200
Number of Pins / Balls — 780
Process Technology — 40 nm CMOS
Maximum Core Frequency — [DATA_NEEDED: maximum core frequency MHz]
Supply Voltage (VCCINT) — [DATA_NEEDED: VCCINT nominal V]
Trạng thái RoHS — Compliant (lead-free 'N' suffix)
Cấp độ độ ẩm nhạy cảm (MSL) — [DATA_NEEDED: MSL level per JEDEC J-STD-020]
Configuration Method — SRAM-based, configured via JTAG / passive / active serial / fast passive parallel
Design Toolchain — Altera Quartus II (legacy); Intel Quartus Prime

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá