EP3SL200H780C3N vs EP3SE260H780C3N तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP3SL200H780C3N द्वारा Intel और EP3SE260H780C3N द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

विशेषता तुलना

पैरामीटर EP3SL200H780C3N EP3SE260H780C3N
ब्रांड Intel Intel
श्रेणी FPGA & CPLD FPGA & CPLD
लाइफसाइकिल स्थिति NRND सक्रिय
Family Stratix III L (low-power) —
Process Node 40 nm —
Logic Elements 200,000 —
Embedded Memory Bits 10,901,504 bits —
Logic Array Blocks (LABs) 8,000 —
User I/Os 488 488
पैकेज 780-Ball FCBGA (HBGA), 29 x 29 mm 780-BBGA, FCBGA (H780)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Maximum Internal Clock Frequency 800 MHz —
Transceivers 24 channels, up to 3.75 Gbps [DATA_NEEDED: number of embedded transceivers and max data rate]
DSP Blocks 384 [DATA_NEEDED: number of DSP blocks and precision]
Speed Grade C3 (commercial, -3 speed) —
ऑपरेटिंग तापमान 0C to +85C (commercial) 0 °C to +85 °C (C grade, commercial)
Voltage - Core 0.9 V / 1.0 V (core, VCC) —
Voltage - I/O 1.2 V to 3.3 V (VCCIO banks) —
MSL स्तर 3 —
Lead-Free / RoHS Yes —
Mounting Pitch 1.0 mm ball pitch —
PLLs 12 (Stratix III PLL array) —
Configuration JTAG IEEE Std 1149.1, passive/active serial —
Series — Stratix® III E
Logic Elements (LE) — 255,000
Embedded Memory (bits) — 16,672,768
Number of LABs/CLBs — 10,200
Number of Pins / Balls — 780
Process Technology — 40 nm CMOS
Maximum Core Frequency — [DATA_NEEDED: maximum core frequency MHz]
Supply Voltage (VCCINT) — [DATA_NEEDED: VCCINT nominal V]
RoHS स्थिति — Compliant (lead-free 'N' suffix)
नमी संवेदनशीलता स्तर (MSL) — [DATA_NEEDED: MSL level per JEDEC J-STD-020]
Configuration Method — SRAM-based, configured via JTAG / passive / active serial / fast passive parallel
Design Toolchain — Altera Quartus II (legacy); Intel Quartus Prime

डेटाशीट और संसाधन

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