FODM217A vs FODM217AR2 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ FODM217A بواسطة onsemi و FODM217AR2 بواسطة onsemi. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | FODM217A | FODM217AR2 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | onsemi | onsemi |
| الفئة | Optocouplers | Optocouplers |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Channel Count | 1 | — |
| Input Type | DC Sensing | DC sensing |
| نوع الخرج | Phototransistor | — |
| Isolation Voltage (VISO) | 3,750 VACrms | 3750 Vrms (per UL 1577) |
| العلبة | 4-SOP (Half-Pitch Mini-Flat) | 4-SOP / MFP-4 (half-pitch mini-flat, 1.27 mm pitch) |
| عدد الدبابيس | 4 | — |
| Emitter Material | Gallium Arsenide (GaAs) Infrared LED | — |
| Detector Type | Silicon Phototransistor | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -40 C to +110 C | — |
| Forward Voltage (VF) Typical | 1.2 V at IF = 10 mA | — |
| Reverse Voltage (VR) Maximum | 6 V | — |
| Collector-Emitter Voltage (VCEO) Maximum | 80 V | — |
| Emitter-Base Voltage (VEBO) Maximum | 7 V | — |
| Collector Current (IC) Maximum | 50 mA | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Part Number | — | FODM217AR2 |
| Manufacturer | — | onsemi (ON Semiconductor) |
| Device Type | — | Single-Channel DC-Sensing Phototransistor Optocoupler |
| تكوين الخرج | — | Transistor (phototransistor, single channel) |
| Number of Channels | — | 1 |
| جهد المجمع-الباعث (Vceo) | — | 80 V maximum |
| تيار المجمّع (Ic) | — | 50 mA maximum |
| Forward Current (IF) | — | 50 mA maximum |
| Forward Voltage (VF) | — | 1.2 V typical at IF=10 mA |
| VCE(SAT) | — | 0.4 V maximum at IC=2.4 mA, IF=8 mA |
| Current Transfer Ratio (CTR) | — | 50% to 600% at IF=5 mA, VCE=5 V |
| Response Time (tr / tf) | — | 4 us / 3 us typical |
| درجة حرارة التشغيل | — | -40 C to +110 C |
| UL Recognition | — | UL 1577 recognized (File E90700) |
| مستوى MSL | — | 1 per IPC/JEDEC J-STD-020 |