FODM217A vs FODM217AR2 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של FODM217A מאת onsemi ו FODM217AR2 מאת onsemi. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר FODM217A FODM217AR2
מותג onsemi onsemi
קטגוריה Optocouplers Optocouplers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Channel Count 1 —
Input Type DC Sensing DC sensing
סוג פלט Phototransistor —
Isolation Voltage (VISO) 3,750 VACrms 3750 Vrms (per UL 1577)
מארז 4-SOP (Half-Pitch Mini-Flat) 4-SOP / MFP-4 (half-pitch mini-flat, 1.27 mm pitch)
מספר פינים 4 —
Emitter Material Gallium Arsenide (GaAs) Infrared LED —
Detector Type Silicon Phototransistor —
טווח טמפרטורת פעולה -40 C to +110 C —
Forward Voltage (VF) Typical 1.2 V at IF = 10 mA —
Reverse Voltage (VR) Maximum 6 V —
Collector-Emitter Voltage (VCEO) Maximum 80 V —
Emitter-Base Voltage (VEBO) Maximum 7 V —
Collector Current (IC) Maximum 50 mA —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Part Number — FODM217AR2
Manufacturer — onsemi (ON Semiconductor)
Device Type — Single-Channel DC-Sensing Phototransistor Optocoupler
תצורת מוצא — Transistor (phototransistor, single channel)
Number of Channels — 1
מתח אספן-פולט (Vceo) — 80 V maximum
זרם קולט (Ic) — 50 mA maximum
Forward Current (IF) — 50 mA maximum
Forward Voltage (VF) — 1.2 V typical at IF=10 mA
VCE(SAT) — 0.4 V maximum at IC=2.4 mA, IF=8 mA
Current Transfer Ratio (CTR) — 50% to 600% at IF=5 mA, VCE=5 V
Response Time (tr / tf) — 4 us / 3 us typical
טמפרטורת פעולה — -40 C to +110 C
UL Recognition — UL 1577 recognized (File E90700)
רמת MSL — 1 per IPC/JEDEC J-STD-020

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר